[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板（0），在像素显示区域玻璃基板（0）的上方从下向上依次是完全覆盖玻璃基板（0）的公共电极层（1）和绝缘层（2），不完全绝缘层（2）的栅电极（3），完全覆盖栅电极（3）的栅绝缘层（4），栅绝缘层（4）上方设置有源层（5）以及在数据线层上形成位于栅电极（3）两侧的源电极（6）和漏电极（7）。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层（5）不完全覆盖栅绝缘层（4），所述有源层（5）上设置有沟道，且源电极（6）和漏电极（7）之间被所述沟道隔开。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极（6）和漏电极（7）上方还设置有像素电极层（9）。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上像素显示区之外为测试区，测试区设置有栅电极层（8）、第一过孔（71）和第二过孔（72），所述栅电极层（8）设置在有源层（5）上，所述第一过孔（71）为设置在栅电极层上方有源层（5）上开设的过孔，所述第二过孔（72）为设置在公共电极层（1）上方绝缘层（2）上开设的过孔。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有像素电极层（9）完全覆盖所述源电极（6）和漏电极（7）。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述测试区第一过孔（71）和第二过孔（72）覆盖有透明金属导电层（91、92）。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上依次沉积公共电极层、绝缘层和金属薄膜层，通过第一次构图工艺形成栅电极；

在所述栅电极上依次形成栅绝缘层、有源层和数据线层，通过第二次构图工艺形成源电极和漏电极。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一次构图工艺时在阵列基板的显示区域和显示区域之外的测试区也设置有栅电极层，第二次构图工艺之后，对测试区通过第三次构图工艺，在栅电极层以及公共电极层上分别形成第一过孔和第二过孔。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，第三次构图工艺之后，沉积一层透明导电薄膜，经过第四次构图工艺在显示区域形成像素电极层，在测试区第一过孔和第二过孔上方形成透明金属导电层。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素电极层完全覆盖源电极和漏电极。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。