[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

目前对于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器的主流产品，一些液晶显示区中采用高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，即ADSDS，简称ADS)，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而在提高液晶工作效率的同时并增大透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

传统的ADS型薄膜液晶显示器中阵列基板是通过逐层加工的构图工艺形成薄膜图形来完成的，即一次构图工艺形成一层薄膜图形，制作该阵列基板的过程如图1～图5所示。具体的制作过程如下：

（1）在玻璃基板00上沉积一层金属薄膜，通过第一构图工艺利用普通掩膜版形成栅电极10的图形，如图1所示；

（2）在形成有栅电极10的基板上沉积一层透明金属层，通过第二次构图工艺利用普通掩膜版形成公共电极层20的图形，如图2所示。

（3）沉积栅绝缘层薄膜30、有源层(包括半导体有源层和掺杂半导体有源层)薄膜40和数据线层50，通过第三构图工艺利用双调掩膜版形成有源层图形和数据线图形的源电极51以及漏电极52，如图3所示。

（4）沉积一层钝化层60，通过第四次构图工艺利用普通掩膜版形成钝化层60的图形以及连接孔61、62等区域，如图4所示。

（5）沉积第二透明导电层，通过第五次构图工艺利用普通掩膜版形成像素电极70，像素电极70通过钝化层60中开设的连接孔（即过孔）61与数据线层漏极52相连。这里第二公共电极72与栅电极10通过钝化层60开设的过孔62相连接，如图5所示。

基于上述以及图1～图5所示，现有的薄膜晶体管阵列基板制作过程中，依次制作经过第一次构图工艺制作栅电极10，第二次构图工艺制作公共电极层20，第三次构图工艺制作栅绝缘层薄膜30、有源层薄膜40和数据线层50，第四次构图工艺制作钝化层60以及第五次构图工艺制作像素电极70，第一步和第二步工艺流程均为沉积→曝光→刻蚀→剥离，形成第一层金属线路，即栅电极；再经过第二次沉积→曝光→刻蚀→剥离形成第二层金属线路，即公共电极层，共经过五次构图工艺完成制作，构图工艺次数较多，需要的掩模板的数量也较多，这样导致生产时间长，生产效率低，生产成本高。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何减少ADS型TFT基板制作过程中构图工艺的次数，节约成本。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：玻璃基板0，在像素显示区域玻璃基板0的上方从下向上依次是完全覆盖玻璃基板0的公共电极层1和绝缘层2，不完全绝缘层2的栅电极3，完全覆盖栅电极3的栅绝缘层4，栅绝缘层4上方设置有源层5以及在数据线层上形成位于栅电极3两侧的源电极6和漏电极7。

进一步地，所述有源层5不完全覆盖栅绝缘层4，所述有源层5上设置有沟道，且源电极6和漏电极7之间被所述沟道隔开。

进一步地，所述源电极6和漏电极7上方还设置有像素电极层9。

进一步地，所述阵列基板上像素显示区之外为测试区，测试区设置有栅电极层8、第一过孔71和第二过孔72，所述栅电极层8设置在有源层5上，所述第一过孔71为设置在栅电极层上方有源层5上开设的过孔，所述第二过孔72为设置在公共电极层1上方绝缘层2上开设的过孔。

进一步地，所述像素电极层9完全覆盖源电极6和漏电极7。

进一步地，所述测试区第一过孔71和第二过孔72均覆盖有透明金属导电层91、92。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在玻璃基板上依次沉积公共电极层、绝缘层和金属薄膜层，通过第一次构图工艺形成栅电极；

在所述栅电极上依次形成栅绝缘层、有源层和数据线层，通过第二次构图工艺形成源电极和漏电极。