[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 201310688058.5 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103904176A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 程田高史 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，具有：层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层；多个n侧电极，其层叠在n型半导体层上且与n型半导体层电连接，该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时包围发光层以及p型半导体层的至少一部分的区域；p侧电极，其设在p型半导体层上，对于从发光层输出的光具有反射性，并且与p型半导体层电连接，在从层叠方向观察时，该p侧电极在被多个n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部。由此，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，解决发光集中于芯片的中央部分且发光效率降低的问题和ESD破坏耐电压的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层；多个n侧电极，其层叠在所述n型半导体层上且与该n型半导体层电连接，该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时将所述发光层以及所述p型半导体层的至少一部分的区域包围；p侧电极，其设在所述p型半导体层上，对于从所述发光层输出的光具有反射性，并且与该p型半导体层电连接，在从层叠方向观察时，该p侧电极在被多个所述n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部。
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