[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

近年，开发出了一种将与电极形成面相对的生长基板侧作为主光取出面的倒装芯片接合（FC）安装技术。例如，专利文献1中记载了一种半导体发光元件，该半导体发光元件有：由蓝宝石形成的基板；包含n型半导体层、发光层以及p型半导体层、且层叠在基板上的叠层半导体层；形成于p型半导体层的正电极；形成于n型半导体层的负电极，以倒装芯片方式进行安装。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2010－263016号公报

发明内容

发明要解决的问题

在半导体发光元件中，当施加使形成于p型半导体层的p侧电极为高电位、且使形成于n型半导体层的n侧电极为低电位的电压（正向电压VF）时，则从p侧电极经由p型半导体层、发光层以及n型半导体层而向n侧电极流动电流（正向电流IF），从发光层输出目标波长的光。而且，在通过FC安装的半导体发光元件中，从发光层向电极形成面侧输出的光被设在电极形成面侧的反射层反射而从与电极形成面相对的生长基板侧取出。

在通过FC安装的半导体发光元件中，优选通过在生长基板侧的方向上取出的光来使芯片的整个面均匀发光。但是，根据形成于电极形成面侧的电极的个数、配置等，存在发光变得不均匀的情况。例如，当在芯片的中央部分设置n侧电极、在芯片的四角分别设置p侧电极时，则存在发光集中于芯片的中央部分、发光效率降低的问题，而且，也会产生在静电放电（ESD：Electro－Static－Discharge）检查时芯片容易被破坏这一与发光的均匀性、效率不同的问题。

本发明的目的在于解决在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中发光集中于芯片的中央部分且发光效率降低的问题和ESD破坏耐电压的问题。

用于解决问题的技术方案

根据本发明，提供一种半导体发光元件，其特征在于，具有：层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层；多个n侧电极，其层叠在所述n型半导体层上且与该n型半导体层电连接，该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时将所述发光层以及所述p型半导体层的至少一部分的区域包围；p侧电极，其设在所述p型半导体层上，对于从所述发光层输出的光具有反射性，并且与该p型半导体层电连接，在从层叠方向观察时，该p侧电极在被多个所述n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部。

在本发明中，优选所述p侧电极具有层叠在所述p型半导体层上且设有供该p型半导体层的一部分露出的多个开口部的绝缘反射层。

优选所述p侧电极在所述p型半导体层和所述绝缘反射层之间具有透明导电层，该透明导电层对于从所述发光层输出的光具有透射性，该透明导电层的一部分从该绝缘反射层的所述开口部露出。

优选所述p侧电极具有形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内的金属反射层。

优选所述绝缘反射层包括多层绝缘层，所述多层绝缘层是交替层叠第一绝缘层和第二绝缘层而构成的，所述第一绝缘层具有第一折射率、且对于从所述发光层输出的光呈现光透射性，所述第二绝缘层具有比该第一折射率高的第二折射率、且对于从该发光层输出的光呈现光透射性。

发明的效果

根据本发明，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，能够解决发光集中于芯片的中央部分且发光效率降低的问题和ESD破坏耐电压的问题。

附图说明

图1是说明半导体发光元件的一个例子的俯视示意图。

图2是图1所示的半导体发光元件的A－A截面示意图。

图3是说明绝缘反射层的层构造的一个例子的截面示意图。

图4是说明叠层半导体的一个例子的截面示意图。

图5是说明n侧电极的配置例的俯视示意图。

图6是说明n侧电极的其他配置例的俯视示意图。

图7是半导体发光元件的发光图案测定结果。

图8是表示半导体发光元件的ESD结果的曲线图。

图9是表示半导体发光元件的Vf测定结果的曲线图。

具体实施方式