[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号: | 201310688058.5 | 申请日: | 2013-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN103904176A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
| 发明(设计)人: | 程田高史 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,其特征在于,具有:
层叠了n型半导体层、发光层以及p型半导体层的叠层半导体层;
多个n侧电极,其层叠在所述n型半导体层上且与该n型半导体层电连接,该多个n侧电极配置为从层叠方向观察时将所述发光层以及所述p型半导体层的至少一部分的区域包围;
p侧电极,其设在所述p型半导体层上,对于从所述发光层输出的光具有反射性,并且与该p型半导体层电连接,在从层叠方向观察时,该p侧电极在被多个所述n侧电极包围的区域具有用于与外部电连接的连接部。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述p侧电极具有层叠在所述p型半导体层上且设有供该p型半导体层的一部分露出的多个开口部的绝缘反射层。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述p侧电极在所述p型半导体层和所述绝缘反射层之间具有透明导电层,该透明导电层对于从所述发光层输出的光具有透射性,该透明导电层的一部分从该绝缘反射层的所述开口部露出。
4.根据权利要求2或3所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述p侧电极具有形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内的金属反射层。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述绝缘反射层包括多层绝缘层,所述多层绝缘层是交替层叠第一绝缘层和第二绝缘层而构成的,所述第一绝缘层具有第一折射率、且对于从所述发光层输出的光呈现光透射性,所述第二绝缘层具有比该第一折射率高的第二折射率、且对于从该发光层输出的光呈现光透射性。
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