[发明专利]生长CaF2晶体调节温场结构的方法及装置

摘要

本发明涉及一种采用下降法在真空条件下生长CaF2晶体的方法和装置。当采用下降法生长直径较大的CaF2晶体时，实现对坩埚内温场结构的有效控制变得越来越困难，为了获得生长高质量单晶所需要的平固液界面或者向上微凸形状的固液界面，采用一种可调节固液界面处温场结构的方法和装置，来增加晶体生长过程中固液界面处温场的可调节性。该装置由石墨下降杆和位于石墨下降杆内可移动的不锈钢水冷杆组成。在晶体生长过程中，通过不断调整石墨下降杆和水冷不锈钢杆的相对位置，可使坩埚中固液界面处的温场结构得到调整，使固液界面在整个晶体生长的过程中保持平界面或者向上微凸形状的界面，可以有效地减小所生长晶体的内应力，提高晶体的质量。

主权项

一种采用下降法在真空条件下生长CaF2晶体的方法，其特征是：采用下降法在真空条件下生长CaF2晶体，在CaF2晶体生长的过程中通过不断调整坩埚3向石墨下降杆7传递热量的速率，来改变了坩埚3内的温场结构，达到调节固液界面5处温场结构的目的。