专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种燃气多气源的采购指导系统及方法-CN202011381711.X在审
  • 王超群;臧春雨;陈效吉 - 上海航天能源股份有限公司
  • 2020-12-01 - 2021-03-12 - G06Q10/06
  • 本申请公开了一种燃气多气源的采购指导系统及方法,其系统包括采购前评估装置,具体包括:需求获取模块,用于采集各需求方的燃气需求,并根据燃气需求与燃气供应合同,计算燃气缺口量;价格采集模块,用于采集各气源的当前价格;历史数据分析模块,用于获取历史采购数据中各气源的采购单价,生成各气源的价格趋势参考曲线;采购评估模块,用于基于燃气缺口量,根据各气源的当前价格及各气源的价格趋势参考曲线,通过采购评估模型,输出采购指导报告。更佳的,本申请的燃气多气源的采购指导系统还包括一采购后分析处理装置,对每次采购后的采购数据进行采购模拟及成本分析。通过本发明可以在保障燃气供应的情况下,提供经济实惠的燃气采购指导。
  • 一种燃气多气源采购指导系统方法
  • [发明专利]获得平整固液界面的晶体生长方法及装置-CN201410242290.0有效
  • 臧春雨;臧春和;李毅;姜晓光;覃检涛 - 长春理工大学
  • 2014-06-03 - 2018-01-09 - C30B11/00
  • 一种采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体的方法以及装置,该装置发热体的电极位于发热体上方,发热体的电极穿过保温层,并经由保温层外侧引出到炉体外面。发热体的电极由坩埚上方远离冷区和热区交界面的位置引出,可避免电极连接于发热体下方时,电极热传导对固液界面处温场结构的影响。发热体最下方的等电位环具有提供轴向均匀对称温场的效用。由带散热屏的石墨隔板在固液界面处形成的冷阱,可以获得晶体生长必需的温度梯度,可以使固液界面在整个晶体生长的过程中保持平界面或者向上微凸形状的界面,生长出内部缺陷少的高质量氟化物晶体。
  • 获得平整界面晶体生长方法装置
  • [发明专利]下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置-CN201410242310.4有效
  • 李毅;臧春雨;姜晓光;臧春和;万玉春 - 长春理工大学
  • 2014-06-03 - 2018-01-09 - C30B11/00
  • 一种采用坩埚下降法生长特定方向晶体坩埚底部装夹籽晶的方法和装置,当在坩埚底部安放特定方向的籽晶时,为确保籽晶的方向精度能够在晶体生长过程中得到保持,将坩埚底部脖颈安放籽晶处加工成圆锥孔,同时将籽晶加工成圆锥体,二者具有相同的锥度,籽晶安放在圆锥孔中时,可最大限度地保持籽晶原有的方向精度。同时由于坩埚底部压紧螺帽的夹紧作用,使籽晶被牢固地夹紧在圆锥孔中,避免了生长过程中籽晶晃动和脱落的情况发生。在籽晶的外部均匀地包裹一层石墨纸,石墨纸具有一定的弹性,预防当籽晶材质具有大于坩埚材质的热膨胀系数时引起坩埚胀裂,该方法和装置可用于在真空条件下生长具有特定方向的碱土氟化物晶体。
  • 下降生长晶体坩埚底部籽晶方法装置
  • [发明专利]下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置-CN201410242306.8在审
  • 李毅;臧春雨;臧春和;姜晓光;覃检涛;崔凤泰;万玉春 - 长春理工大学
  • 2014-06-03 - 2016-02-03 - C30B11/00
  • 一种定向生长氟化物晶体的装置和方法,采用下降法在真空条件下生长特定方向氟化物晶体时,在坩埚脖颈部的孔中安放有特定方向的籽晶,为确保在晶体生长初期籽晶熔化一部分,采用在坩埚脖颈外侧安装伞形反射屏的方法来保证籽晶下部不被熔化掉;采用非接触式光测高温计对籽晶的温度进行实时监控,确保籽晶的上部充分熔化,而下部保持不熔化状态,在此条件下才能够定向生长出单晶。本发明提出的加装伞形反射屏装置以及采用光测高温计在晶体生长最初阶段测量温度,可以有效地保证籽晶在生长特定方向氟化物单晶的最初阶段刚好熔化掉三分之一至一半,在继续生长的过程中,温度控制部分的传感器切换到热电偶来控温,直至晶体生长结束。
  • 下降法定生长氟化物晶体方法装置
  • [发明专利]多发热单元的晶体生长装置及方法-CN201410241453.3在审
  • 臧春雨;臧春和;李毅 - 长春理工大学
  • 2014-06-03 - 2016-01-06 - C30B11/00
  • 一种采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体的方法和装置,该装置的热区是由三个独立的发热单元构成的,每个发热单元包括热电偶、单相功率调节器、温度控制器等。这三组发热单元同时工作,独立控温,共同构成晶体生长炉内的发热区。通过对这三组发热单元温度分别设定,可在晶体熔体内建立沿着坩埚轴向向上的温度梯度。这种温场结构有利于避免坩埚内熔体产生对流,减小晶体内部气泡和杂质在轴心聚集。该装置的冷区采用石墨保温筒,避免冷区的温场由于电极的存在而导致轴向温场不对称,可以有效地保证固液界面处温场的均匀与轴向旋转对称,有利于获得平滑的固液界面,从而使所生长的晶体具有较小的内应力和较小的应力双折射,提高晶体的质量。
  • 多发单元晶体生长装置方法
  • [发明专利]生长CaF2晶体调节温场结构的方法及装置-CN201310644986.1在审
  • 臧春雨;臧春和;李春 - 长春理工大学
  • 2013-12-05 - 2015-06-10 - C30B29/12
  • 本发明涉及一种采用下降法在真空条件下生长CaF2晶体的方法和装置。当采用下降法生长直径较大的CaF2晶体时,实现对坩埚内温场结构的有效控制变得越来越困难,为了获得生长高质量单晶所需要的平固液界面或者向上微凸形状的固液界面,采用一种可调节固液界面处温场结构的方法和装置,来增加晶体生长过程中固液界面处温场的可调节性。该装置由石墨下降杆和位于石墨下降杆内可移动的不锈钢水冷杆组成。在晶体生长过程中,通过不断调整石墨下降杆和水冷不锈钢杆的相对位置,可使坩埚中固液界面处的温场结构得到调整,使固液界面在整个晶体生长的过程中保持平界面或者向上微凸形状的界面,可以有效地减小所生长晶体的内应力,提高晶体的质量。
  • 生长caf2晶体调节结构方法装置
  • [发明专利]抗热冲击快速升温CaF2晶体退火装置-CN201310645183.8在审
  • 臧春雨;臧春和;李毅 - 长春理工大学
  • 2013-12-05 - 2015-06-10 - C30B33/02
  • 本发明涉及一种CaF2晶体退火装置,当生长的CaF2晶体直径大于50mm时,或者对所生长晶体的质量,尤其是应力双折射指标有较高的要求时,通常采用在真空条件下精密退火的方法来改善晶体内部应力分布,减小晶体内部应力引起的双折射。为了减小晶体退火过程中的电能消耗,以及提高退火的效果,在真空退火炉内设计了双加热系统,内加热系统温场的等温面与晶体毛坯大面平行,可实现以较快的速度升温。外加热系统位于内保温层外部,用来缓慢降温,这种设计可提高由坩埚、晶体、坩埚填料等共同构成温场的惰性,可有效地抵抗环境的热冲击,提高晶体降温过程的稳定性,在坩埚中添加氟化剂和CaF2多晶粉,即可增加热惰性又可防止晶体被氧化。
  • 抗热冲击快速升温caf2晶体退火装置
  • [发明专利]小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法-CN201310039285.5有效
  • 臧春雨;臧春和;姜晓光;李毅;葛济铭;万玉春;贾志旭 - 长春理工大学
  • 2013-01-31 - 2013-04-24 - C30B11/00
  • 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法属于晶体生长技术领域。现有技术成功率低、晶体质量差。本发明之装置其特征在于,坩埚经坩埚座安置在保温套底部上面;每个连接梁将两两相对的电极座连接起来,各个连接梁的中点相交于一点,各个连接梁在该点彼此连接成一体,提拉杆的下端在该点与各个连接梁相连;电极杆与密封圈动配合。本发明之方法其特征在于,由提拉杆通过连接梁、电极座、电极杆向上提拉加热体,温场随之上升,坩埚、仔晶筒、坩埚座、仔晶静止。依本发明生长氟化镁晶体成功率为95%以上,位错密度降低到10~30/cm2,在0.2~7.5μm波段的吸收系数小于2×10E-4/cm,晶体质量全面提高。
  • 梯度上升定向生长氟化物装置方法
  • [发明专利]坩埚下降法晶体生长炉的下降装置-CN201210509805.X有效
  • 臧春雨;臧春和;姜晓光;李毅;葛济铭;万玉春;贾志旭 - 长春理工大学
  • 2012-12-03 - 2013-04-17 - C30B11/00
  • 坩埚下降法生长晶体炉的下降装置,适用于晶体质量对外界振动敏感的晶体的生长,属于晶体生长技术领域。现有技术存在中频和低频振动,通过坩埚形成对晶体生长的干扰,降低了晶体质量。本发明之坩埚下降法生长晶体炉的下降装置其特征在于,升降杆下端的活塞位于液压缸中;位于液压缸底部的滴油阀一端通向液压缸内部,另一端通向储油槽;安装在临近升降杆侧壁处的位移传感器与降速控制器连接,降速控制器与滴油阀的控制部分连接。采用本发明下降法生长无掺杂LiCaAlF6晶体,晶体直径20 mm、长度200 mm,单晶结构完整,劈裂获得的晶体解理面光滑平整,切割截取晶体中部测量,其应力双折射小于10 nm/cm,吸收系数小于2×10E-3,损伤阈值得以提高。
  • 坩埚下降晶体生长装置
  • [发明专利]稀土发光材料的制备方法-CN01141983.0无效
  • 石春山;叶泽人;刘应亮;刘晓瑭;臧春雨 - 中国科学院长春应用化学研究所
  • 2001-09-27 - 2004-07-07 - C09K11/81
  • 本发明属于稀土三基色发光材料制备的一种新方法。这些材料包括:铕和铽掺杂的硼磷酸钙及其铈敏化体系;铕和铽掺杂的硼铝磷酸钙及其铈敏化体系;铕和铽掺杂的氯氧硼酸钙及其铈敏化体系,反应温度为850-950℃,反应时间为3-5h;激活剂浓度:xEu3+中x=0.02-0.05摩尔分数,yTb3+中y=0.001-0.01摩尔分数;敏化剂浓度:zCe3+中z=0.001-0.01摩尔分数。本发明提供的方法特点:合成稀土三基色荧光体只需一种基质、二种稀土激活离子(Eu3+、Tb3+)、不需任何还原剂,只通过Eu3+和Tb3+之间电子转移产生蓝光发射的Eu2+、空气中合成。铈离子(Ce3+)有很好的敏化效果。
  • 稀土发光材料制备方法
  • [实用新型]液晶高速遮强光护目镜-CN94249211.0无效
  • 臧春雨 - 臧春雨
  • 1994-12-30 - 1995-10-11 - A61F9/02
  • 液晶高速遮强光护目镜,属于眼镜类;以由镜框、镜片组成的眼镜为基础;镜片采用由两片ITO玻璃及夹持在中间的液晶、粘合在ITO玻璃由外侧的偏振膜组成的液晶光阀片;在镜框上有一个壳体,壳体前面有一个通光孔,在壳体中装有电路板,电路板上装有光开关电路和由集成块LM358、电阻和电容组成的振荡电路;振荡电路的两个输出端经导电橡胶分别与一片液晶光阀器片的两片ITO玻璃导电膜相连。两片液晶光阀器片并联。遇有强光液晶扭转,偏振膜使强光不能通过,有遮光迅速的效果。
  • 液晶高速强光护目镜

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