[发明专利]一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

摘要

本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法，其特征在于所述结构包括金属基板框，在所述金属基板框内部设置有基岛和引脚，所述引脚呈台阶状，所述基岛和引脚的正面与金属基板框正面齐平，所述引脚的背面与金属基板框的背面齐平，所述引脚的台阶面上设置有金属层，所述基岛的背面通过导电或不导电粘结物质设置有芯片，所述芯片的正面与金属层表面之间用金属线相连接，在所述基岛正面、引脚的正面和背面以及金属基板框的表面镀有抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)，所述塑封料与金属基板框上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)齐平,所述引脚的背面设置有金属球。本发明的有益效果是：它能够解决传统金属引线框的板厚之中无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。

主权项

一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的工艺方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、贴光阻膜作业在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤三、金属基板表面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；步骤四、电镀抗氧化金属层或是被覆抗氧化剂（OSP）在步骤三中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行电镀抗氧化金属层，防止金属氧化，如金、镍金、镍钯金、锡或是被覆抗氧化剂（OSP）；步骤五、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤六、贴光阻膜作业在金属基板的表面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板表面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，具体是去除电镀抗氧化金属层以外的光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域图形；步骤八、化学蚀刻在步骤七中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行不同深度的化学蚀刻；步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十、贴光阻膜作业在金属基板的表面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；步骤十二、电镀金属线路层在步骤十一的金属基板背面进行金属线路层的电镀工作，金属线路层电镀完成后即依据图形在金属基板上形成相应的基岛和引脚；步骤十三、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十四、装片在步骤十二的基岛正面通过导电或不导电粘结物质植入芯片；步骤十五、金属线键合在芯片正面与引脚台阶面之间进行键合金属线作业；步骤十六、包封对步骤十五的金属基板内部采用塑封料进行塑封，塑封料与金属基板上下表面的抗氧化层或被覆抗氧化剂(OSP)齐平；步骤十七、植球在步骤十六的引脚背面植入金属球。