[发明专利]一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及其工艺方法。属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统的四面扁平无引脚金属引线框结构主要有两种：

一种是四面扁平无引脚封装（QFN）引线框，这种结构的引线框由铜材金属框架与耐高温胶膜组成（如图19所示）。

一种是预包封四面扁平无引脚封装（pQFN）引线框，这种结构的引线框结构包括引脚与基岛，引脚与基岛之间的蚀刻区域填充有塑封料（如图20所示）。

上述传统金属引线框存在以下缺点：

1、传统金属引线框作为装载芯片的封装载体，本身不具备系统功能，从而限制了传统金属引线框封装后的集成功能性与应用性能；

2、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，只能在引线框正面进行芯片及组件的平铺或者堆叠封装。而功率器件与控制芯片封装在同一封装体内，功率器件的散热会影响控制芯片信号的传输；

3、由于传统金属引线框本身不具备系统功能，所以多功能系统集成模块只能在传统金属引线框正面通过多芯片及组件的平铺或堆叠而实现，相应地也就增大元器件模块在PCB上所占用的空间。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足，提供一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及方法，它能够解决传统金属引线框缺乏系统功能的问题。

本发明的目的是这样实现的：一种一次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构的制作方法，所述方法包括如下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、贴光阻膜作业

在金属基板的正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤三、金属基板表面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤二完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；

步骤四、电镀抗氧化金属层或是被覆抗氧化剂（OSP）

在步骤三中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行电镀抗氧化金属层，防止金属氧化，如金、镍金、镍钯金、锡或是被覆抗氧化剂（OSP）;

步骤五、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤六、贴光阻膜作业

在金属基板的表面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板表面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板表面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，具体是去除电镀抗氧化金属层以外的光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域图形；

步骤八、化学蚀刻

在步骤七中金属基板表面去除部分光阻膜的区域内进行不同深度的化学蚀刻；

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、贴光阻膜作业

在金属基板的表面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十一、金属基板背面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤十完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的区域图形；

步骤十二、电镀金属线路层

在步骤十一的金属基板背面进行金属线路层的电镀工作，金属线路层电镀完成后即依据图形在金属基板上形成相应的基岛和引脚；

步骤十三、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十四、装片

在步骤十二的基岛正面通过导电或不导电粘结物质植入芯片；

步骤十五、金属线键合

在芯片正面与引脚台阶面之间进行键合金属线作业；

步骤十六、包封

对步骤十五的金属基板内部采用塑封料进行塑封，塑封料与金属基板的正面和背面均齐平。

步骤十七、植球

在步骤十六的引脚背面植入金属球。

当步骤四中的抗氧化金属层为镍金或镍钯金时，所述步骤六和步骤七可以省略。