[发明专利]具有衬底通孔结构的器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310603941.X | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104425451A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 林咏淇;陈彦宏;陈盈桦;廖鄂斌;杨固峰;吴仓聚;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔（TSV）结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环绕扩散阻挡层的隔离层。在TSV结构的导电层的顶面上形成包括钴的覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 结构 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；第一介电层，位于所述半导体衬底上；栅电极，形成在所述第一介电层中；衬底通孔（TSV）结构，穿透所述第一介电层并延伸至所述半导体衬底内，其中，所述TSV结构包括导电层、环绕所述导电层的扩散阻挡层和环绕所述扩散阻挡层的隔离层；以及覆盖层，包括钴，所述覆盖层形成在所述TSV结构的所述导电层的顶面上。
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