[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，提供ESD耐受量高的半导体装置。第一通路(16)是用于从焊盘到ESD保护电路的NMOS晶体管的漏极的电连接的部分。该第一通路(16)设于漏极正上方，大体存在于焊盘的正下方。因此，施加于焊盘的ESD的浪涌电流变得易于均等地去向全部漏极。于是，ESD保护电路的NMOS晶体管的各沟道变得容易均等地动作，半导体装置的ESD耐受量变高。

主权项

一种半导体装置，在焊盘下具有NMOS晶体管，所述半导体装置具有：所述NMOS晶体管，具有：交替地配置的源极以及漏极的扩散区域、配置于所述源极与所述漏极之间的各沟道上的栅极电极、以及用于固定衬底的电位的P型扩散区域，其中所述P型扩散区域包围所述源极以及漏极的扩散区域和所述栅极电极，所述沟道的数量为偶数；第一下层金属膜，为了进行与所述漏极的电连接而配置于所述漏极上；第二下层金属膜，用于将所述源极和所述栅极电极与所述P型扩散区域电连接；中间层金属膜，为矩形环形状，在所述焊盘下具有开口部，经由第一通路与所述第一下层金属膜电连接；上层金属膜，配置于所述中间层金属膜上，经由第二通路与所述中间层金属膜电连接，形成所述焊盘；以及保护膜，具有与所述开口部一致的焊盘开口部，所述NMOS晶体管仅仅与所述中间层金属膜的一边相交，与其他边不相交，所述第一通路设于所述漏极正上方的所述中间层金属膜的一边。