[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201310567441.5 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104637782B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 夏禹;刘丽丽;徐杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气。本发明在热处理过程中加入氧气，通入的氧气会在晶圆表面形成一层氧化层，从而从根本上遏制了剥落缺陷的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 氧气 半导体器件 热处理工艺 氮气 离子注入工艺 热处理过程 剥落缺陷 晶圆表面 氧化层 制作 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上形成有零层标记，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气，所述氧气的流量是0.1L/min～0.5L/min，从而在晶圆表面形成一氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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