[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆至少有部分区域的硅暴露出来；对所述晶圆执行离子注入工艺；以及对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气。本发明在热处理过程中加入氧气，通入的氧气会在晶圆表面形成一层氧化层，从而从根本上遏制了剥落缺陷的发生。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的不断进步，半导体器件的集成度越来越高，栅极的线宽越来越小，栅极下面的导电沟道的长度也不断的减小，要求源极和漏极相应的变浅。目前的工艺水平要求半导体器件的源极和漏极结的深度小于1000埃，而且最终可能要求结的深度在200埃或者更小的数量级，当前源极和漏极几乎都是以离子注入工艺来进行掺杂形成的。因此，如何以毫微米的工艺技术制造金属–氧化物–半导体（MOS）晶体管的源极和漏极，是目前和未来离子注入技术的发展方向。在半导体制造工艺中，热处理的制程不可或缺。晶圆在经过离子注入后进行热处理，能使注入的离子从表面向晶圆内部扩散，从而形成理想的P或N阱区。即，热处理工艺可以活化离子注入工艺注入的离子，使先前注入的离子扩散的更为均匀，并修复注入到半导体衬底中的高能离子所造成的晶格结构损伤。

目前，通常使用纯氮气（N₂）作为热处理的气体。但在热处理的过程中，晶圆上如有纯硅界面裸露的区域例如零层标记（zero mark），容易出现剥落缺陷（peeling defect）。传统解决方法是，在晶圆进行热处理后将其置入晶圆擦洗装置（wafer scrubber）中清洗，以将剥落缺陷洗去，但此方法一方面加重了晶圆擦洗装置产能的压力，另一方面对其清洗也并不能完全除去剥落缺陷，残留的剥落缺陷同样会对产品的良率造成影响。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制作方法，以解决现有技术中热处理工艺后出现剥落缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆部分区域的硅暴露出来；

对所述晶圆执行离子注入工艺；以及

对所述晶圆进行热处理工艺，所述热处理工艺采用的气体包括氮气和氧气。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述氧气的流量是0.1L/min～0.5L/min。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述氮气的流量是8～12L/min。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述热处理温度是1000～1150度，所述热处理时间是40～75分钟。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述离子注入工艺注入的杂质为磷离子。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述晶圆上形成零层标记。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，所述零层标记利用如下步骤形成：在硅衬底上形成初始氧化层；以及刻蚀所述初始氧化层和部分厚度的硅衬底，从而形成零层标记。

可选的，在所述的半导体器件的制作方法中，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述初始氧化层和部分厚度的硅衬底。

与现有技术相比，本发明在热处理过程中加入氧气，通入的氧气会在晶圆表面形成一层氧化层，有效避免硅直接与氮气接触，从而从根本上遏制了剥落缺陷的发生。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体器件的制作方法的流程示意图。

具体实施方式