[发明专利]半导体装置及其制备方法无效
| 申请号： | 201310538284.5 | 申请日： | 2013-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103872117A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朴在勋;宋寅赫;徐东秀;金洸洙;严基宙 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;张苗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，该半导体装置包括：基板，形成在所述半导体基板下的集电极层，形成在所述半导体基板上的基层，形成在所述基层上的发射极层，垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒，形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露，形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极，形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层，以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，该半导体装置包括：半导体基板；形成在所述半导体基板下的集电极层；形成在所述半导体基板上的基层；形成在所述基层上的发射极层；垂直地贯穿所述基层和所述发射极层的一个或多个沟槽型势垒；形成在所述沟槽型势垒和所述发射极层上的第一栅极绝缘层，使得所述发射极层的上部部分暴露；形成在所述第一栅极绝缘层上的栅极；形成的用来覆盖所述栅极的第二栅极绝缘层；以及形成在通过所述第一栅极绝缘层暴露出的所述发射极层的上部上的发射极金属层。
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