[发明专利]薄膜晶体管基板、其制备方法、以及包含其的显示面板在审
申请号: | 201310502998.0 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104576652A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕;黄建达 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/423 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种薄膜晶体管基板、其制备方法,以及包含其的显示面板,其中,该薄膜晶体管基板包括一底栅极、一顶栅极以及一侧栅极,且该底栅极、顶栅极以及该侧栅极互相电性连接,以形成一环绕式栅极,且该薄膜晶体管基板中的通道与侧栅极之间的最短距离为 |
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搜索关键词: | 薄膜晶体管 制备 方法 以及 包含 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板,包括: 一基板; 一底栅极,位于该基板上; 一第一栅极绝缘层,位于该基板以及该底栅极上,并显露部分该底栅极; 一半导体层,位于该第一栅极绝缘层上,并显露部分该第一栅极绝缘层以及前述部分该底栅极; 一第二栅极绝缘层,位于该半导体层以及该第一栅极绝缘层上; 一侧栅极绝缘层,位于前述的部分该第一栅极绝缘层上并侧向覆盖该半导体层,且邻接该第二栅极绝缘层; 一顶栅极,形成于该第二栅极绝缘层上;以及 一侧栅极,位于该顶栅极以及前述部分该底栅极之间,且侧向覆盖该第一栅极绝缘层、以及该侧栅极绝缘层,该侧栅极电性连接至该顶栅极以及该底栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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