[发明专利]包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法有效
| 申请号： | 201310486485.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779207B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | B·赖默;S·拜尔;J·冯克卢格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法，揭示于本文的方法包括提供包含晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体。执行湿蚀刻制程。该湿蚀刻制程移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分。该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 蚀刻 氮化 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，包含：提供包含形成于半导体层中及上方的晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体，其中，至少一个的悬突形成于该氮化硅侧壁间隔体下面且形成于该半导体层的暴露部分的上方；以及执行移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分的湿蚀刻制程，其中，该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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