[发明专利]包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，包含：

提供包含形成于半导体层中及上方的晶体管的半导体结构，该晶体管包含栅极电极与形成于该栅极电极的氮化硅侧壁间隔体，其中，至少一个的悬突形成于该氮化硅侧壁间隔体下面且形成于该半导体层的暴露部分的上方；以及

执行移除该氮化硅侧壁间隔体的至少一部分的湿蚀刻制程，其中，该湿蚀刻制程包括应用包含氢氟酸与磷酸中的至少一个的蚀刻剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体结构更包括邻接该氮化硅侧壁间隔体的源极区及漏极区，以及其中，该源极区、该漏极区及该栅极电极在该湿蚀刻制程中暴露于该蚀刻剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该源极区、该漏极区及该栅极电极中的至少一个包含硅化物与硅锗化物中的至少一个。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，该栅极电极包含金属。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，该半导体结构更包括绝缘结构，以及其中，该绝缘结构在该湿蚀刻制程中暴露于该蚀刻剂。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，该晶体管更包括在该氮化硅侧壁间隔体下方的衬里层，以及其中，该方法更包括：

执行自该源极区及该漏极区移除污染物的等向性预清洗制程，该等向性预清洗制程更移除该衬里层在该氮化硅侧壁间隔体下方的一部分，借此暴露半导体材料在该氮化硅侧壁间隔体下方的一部分；

在该半导体结构上方非等向性沉积金属；以及

引发该金属与该源极区及该漏极区的半导体材料的化学反应；

其中，该等向性预清洗制程、该金属的该非等向性沉积以及该化学反应的该引发均在该湿蚀刻制程之前执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体结构更包括二氧化硅侧壁间隔体，该二氧化硅侧壁间隔体是形成于该栅极电极与该氮化硅侧壁间隔体之间。

8.根据权利要求1所述的方法，更包括在该湿蚀刻制程后，在该晶体管上方形成应力介电层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，该半导体结构更包括绝缘结构，其中，在该绝缘结构上方形成该栅极电极的一部分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂包含氢氟酸，以及其中，该氢氟酸的浓度以及执行该湿蚀刻制程的温度经调适成使氮化硅的蚀刻速率大于二氧化硅的蚀刻速率、5倍于二氧化硅的蚀刻速率、10倍于二氧化硅的蚀刻速率以及20倍于二氧化硅的蚀刻速率中的至少一个。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂包含磷酸，以及其中，该磷酸的浓度及执行该湿蚀刻制程的温度经调适成使氮化硅的蚀刻速率大于二氧化硅的蚀刻速率、5倍于二氧化硅的蚀刻速率、10倍于二氧化硅的蚀刻速率以及20倍于二氧化硅的蚀刻速率中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂包含浓度在0.0057至0.057质量百分比、0.0095至0.032质量百分比以及0.0095至0.014质量百分比中的至少一个范围内的氢氟酸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，该湿蚀刻制程以在40至100℃、60至100℃以及70至90℃中的至少一个范围内的温度执行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂包含浓度在60至85质量百分比范围内的磷酸，以及该湿蚀刻制程以在110至150℃范围内的温度执行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂为氟化氢的实质纯的水溶液。

16.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻剂为磷酸的实质纯的水溶液。

17.一种形成集成电路的方法，包含：

提供包含半导体层的半导体结构，该半导体结构包含由包含氮化硅的第一材料形成的第一特征，以及由包含二氧化硅、氧化铪、氮氧硅铪、硅、硅/锗、金属、硅化物及硅锗化物中的至少一个的第二材料形成的第二特征，其中，至少一个的悬突形成于该第一特征下面且形成于该半导体层的暴露部分的上方；以及

对于该第二特征有选择性地蚀刻该第一特征，该蚀刻包括以在40至100℃范围内的温度暴露该第一特征及该第二特征于包含浓度在0.0057至0.057质量百分比范围内的氢氟酸的蚀刻剂。