[发明专利]集成电路的可靠性分析测试结构及其测试方法

摘要

本发明揭示了一种集成电路的可靠性分析测试结构，该测试结构包括衬底、第一栅极结构、第一金属线结构、第二栅极结构、第二金属线结构以及电介质。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括根据所述的测试结构实际形成待测试结构；测试所述第一金属线结构和第二金属线结构之间的电学可靠性。在本发明的测试结构中，所述第一栅极结构与第二栅极结构平行排列，并横跨所述有源区和隔离区上，能准确评估有源区上的通孔与相邻栅极之间电介质的可靠性。

主权项

一种集成电路的可靠性分析测试结构，包括：衬底，包含至少一有源区和至少一隔离区，所述有源区和隔离区平行排列；至少一第一栅极结构，位于所述衬底上，所述至少一第一栅极结构横跨所述有源区和隔离区上；第一金属线结构，通过第一通孔与所述至少一第一栅极结构连接；至少一第二栅极结构，位于所述衬底上，所述至少一第二栅极结构横跨所述有源区和隔离区上，并与所述至少一第一栅极结构平行排列；第二金属线结构，通过第二通孔与所述至少一第二栅极结构连接；至少一第三通孔，所述第三通孔位于所述第一栅极结构和第二栅极结构之间，所述第三通孔的一端连接所述有源区，另一端连接一第三金属线结构；电介质，所述衬底、第一栅极结构、第一通孔、第二栅极结构、第二通孔和第三通孔通过所述电介质绝缘间隔。