[发明专利]半导体发光装置在审
| 申请号： | 201310399990.6 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104051591A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 贵志寿之;小泉洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光装置，其包括：第1柱部、第2柱部、波长转换层、发光部、树脂部和中间层。第1柱部向第1方向延伸，并且为导电性。第2柱部在与第1方向交叉的第2方向上与第1柱部隔开，其向第1方向延伸，并且为导电性。波长转换层在第1方向上与第1柱部及第2柱部隔开。发光部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，第1半导体层包括设置在第1柱部的至少一部分与波长转换层之间的第1半导体部分和设置在第2柱部与波长转换层之间的第2半导体部分，第2半导体层设置在第2柱部与第2半导体部分之间，发光层设置在第2半导体部分与第2半导体层之间，并放出第1光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其包括：导电性的第1柱部，其向第1方向延伸；导电性的第2柱部，其在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1柱部隔开，并且向所述第1方向延伸；波长转换层，其在所述第1方向上与所述第1柱部及所述第2柱部隔开；发光部，其包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，所述第1半导体层包括设置在所述第1柱部的至少一部分与所述波长转换层之间的第1半导体部分和设置在所述第2柱部与所述波长转换层之间的第2半导体部分，所述第2半导体层设置在所述第2柱部与所述第2半导体部分之间，所述发光层设置在所述第2半导体部分与所述第2半导体层之间，并且放出第1光；树脂部，其覆盖所述第1柱部的沿着所述第1方向的侧面、所述第2柱部的沿着所述第1方向的侧面、所述发光部的侧面和所述发光部的所述第1柱部及所述第2柱部一侧的面；和中间层，其包括与所述第1半导体层和所述波长转换层相接的第1部分以及与所述树脂部和所述波长转换层相接的第2部分，其具有比所述第1光的峰波长更薄的厚度，并且包含与所述波长转换层所含的材料不同的材料。
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