[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其包括：

导电性的第1柱部，其向第1方向延伸；

导电性的第2柱部，其在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1柱部隔开，并且向所述第1方向延伸；

波长转换层，其在所述第1方向上与所述第1柱部及所述第2柱部隔开；

发光部，其包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，所述第1半导体层包括设置在所述第1柱部的至少一部分与所述波长转换层之间的第1半导体部分和设置在所述第2柱部与所述波长转换层之间的第2半导体部分，所述第2半导体层设置在所述第2柱部与所述第2半导体部分之间，所述发光层设置在所述第2半导体部分与所述第2半导体层之间，并且放出第1光；

树脂部，其覆盖所述第1柱部的沿着所述第1方向的侧面、所述第2柱部的沿着所述第1方向的侧面、所述发光部的侧面和所述发光部的所述第1柱部及所述第2柱部一侧的面；和

中间层，其包括与所述第1半导体层和所述波长转换层相接的第1部分以及与所述树脂部和所述波长转换层相接的第2部分，其具有比所述第1光的峰波长更薄的厚度，并且包含与所述波长转换层所含的材料不同的材料。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层的厚度小于440纳米。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含多个填料，所述多个填料中的至少任意一个具有中心部和所述中心部周围的外壳，并且所述中心部的密度低于所述外壳的密度。

4.如权利要求3所述的半导体发光装置，其中，所述多个填料各自的直径为所述中间层的厚度以下。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其还具备设置在所述发光部与所述树脂部之间的绝缘层，并且所述中间层还具备与所述绝缘层的一部分和所述波长转换层相接的第3部分。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述波长转换层的厚度为80微米以上且250微米以下。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述波长转换层包含有机硅系树脂、丙烯酸系树脂及环氧系树脂中的至少任意一种，并且所述中间层包含氧化硅及氮化硅中的至少任意一种。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层的厚度为20微米以上且150微米以下。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含SiO₂、TiO₂、ZrO₂、ZnO、KTaO₃、Al₂O₃、MgO、Y₂O₃、CuSrO₂、AlN、SiC、CaC₂、BaF₂及CaF₂中的至少任意一种。

10.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含硅烷偶联剂。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含硅原子和与所述硅原子键合的的官能团，所述官能团包括环氧基、氨基、甲基丙烯酰基、乙烯基及巯基中的至少任意一种。

12.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包括偶联膜和分散在所述偶联膜中的多个填料，所述偶联膜包含硅原子和与所述硅原子键合的官能团，所述官能团包括环氧基、氨基、甲基丙烯酰基、乙烯基及巯基中的至少任意一种。

13.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含多个填料，所述多个填料包含SiO₂及ZrO₂中的至少任意一种。

14.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含多个填料，所述多个填料包括锑掺杂氧化锡、氧化锡掺杂氧化铟、五氧化锑、磷掺杂氧化锡及铝掺杂氧化锌中的至少任意一种。

15.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，所述中间层包含多个填料，所述多个填料各自的直径为5纳米以上。