[发明专利]半导体发光装置

说明书

本申请基于由2013年3月11日申请的在先日本专利申请第2013-48299号带来的优先权的利益并主张该利益，在此援引包含其全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体发光装置。

背景技术

例如，存在将蓝色LED（Light Emitting Diode：发光二极管）等半导体发光元件与含有荧光体的树脂进行组合从而发出白色光的半导体发光装置。对于这样的半导体发光装置而言，要求较高的可靠性。

发明内容

本发明提供可靠性高的半导体发光装置。

本发明提供一种半导体发光装置，其包括第1柱部、第2柱部、波长转换层、发光部、树脂部和中间层。

上述第1柱部向第1方向延伸，并且为导电性。上述第2柱部在与上述第1方向交叉的第2方向上与上述第1柱部隔开，其向上述第1方向延伸，并且为导电性。上述波长转换层在上述第1方向上与上述第1柱部及上述第2柱部隔开。上述发光部包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和发光层，其中，上述第1半导体层包括设置在上述第1柱部的至少一部与上述波长转换层之间的第1半导体部分和设置在上述第2柱部与上述波长转换层之间的第2半导体部分，上述第2半导体层设置在上述第2柱部与上述第2半导体部分之间，上述发光层设置在上述第2半导体部分与上述第2半导体层之间，并且放出第1光。上述树脂部覆盖上述第1柱部的沿着上述第1方向的侧面、上述第2柱部的沿着上述第1方向的侧面、上述发光部的侧面和上述发光部的上述第1柱部及上述第2柱部一侧的面。上述中间层包括与上述第1半导体层和上述波长转换层相接的第1部分以及与上述树脂部和上述波长转换层相接的第2部分，并且具有比上述第1光的峰波长更薄的厚度且包含与上述波长转换层所含的材料不同的材料。

根据上述构成，可以得到可靠性高的半导体发光装置。

附图说明

图1A和图1B分别是表示第1实施方式的半导体发光装置的剖视图。

图2是表示第2实施方式的半导体发光装置的制造方法的流程图。

图3A～图3D是表示上述第2实施方式的半导体发光装置的制造方法中的多个工序的剖视图。

具体实施方式

以下，参考附图对多个实施方式进行说明。在附图中，相同符号表示相同或类似部分。

各图为示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小比率等并不一定与实际相同。此外，即便在表示相同部分的情况下，根据图的不同，有时也会以相互不同的尺寸或比率来表示。

图1A及图1B分别是表示第1实施方式的半导体发光装置的剖视图。具体而言，图1A是表示上述半导体发光装置的剖视图，图1B是放大表示上述半导体发光装置的一部分的剖视图。

如图1A所示，本实施方式的半导体发光装置110包括第1柱部31、第2柱部32、波长转换层60、发光部10、树脂部50和中间层70。

第1柱部31向第1方向延伸，并且为导电性。

将第1方向设为Z轴方向。将与第1方向垂直的一个方向设为X轴方向。将与Z轴方向和X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。

第2柱部32在第2方向上与第1柱部31隔开。第2柱部32向Z轴方向延伸，并且为导电性。在这个例子中，将X轴方向设为第2方向。

波长转换层60与第1柱部31及第2柱部32在Z轴方向上隔开。波长转换层60的厚度例如为80μm以上且250μm以下。

发光部10包括第1导电型的第1半导体层11、第2导电型的第2半导体层12和发光层13。

例如，第1导电型为n型，第2导电型为p型。在实施方式中，可以是第1导电型为p型，第2导电型为n型。在以下的例子中，第1导电型为n型，第2导电型设为p型。

第1半导体层11包括第1半导体部分11a和第2半导体部分11b。第1半导体部分11a设置在第1柱部31的至少一部分与波长转换层60之间。第2半导体部分11b设置在第2柱部32与波长转换层60之间。

第2半导体层12设置在第2柱部32与第2半导体部分11b之间。发光层13设置在第2半导体部分11b与第2半导体层12之间。

第1半导体层11、第2半导体层12及发光层13包含例如氮化物半导体。发光部10具有侧面10s。发光部10的侧面10s为与X-Y平面（与第1方向垂直的平面）交叉的面。发光部10具有第1柱部31及第2柱部32一侧的面（第1面10a）和波长转换层60一侧的面（第2面10b）。