[发明专利]栅极LELE双重图形成型方法有效
| 申请号： | 201310360404.7 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103439862A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;李全波;甘志锋;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26;G03F7/16;H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及一种栅极LELE双重图形成型方法，通过引入一种基于先进图膜之上，利用两次曝光形成的氧化物-氮化硅-氧化物硬质掩膜结构，并在最终的多晶硅蚀刻工艺中使用上述的APF作为掩膜来完成，即采用ONO结构代替了传统的氧化硅硬质掩膜、基于旋涂的底层结构ODL和中间层结构SHB，在节省工艺成本的同时，使得较为成熟的40nm及其以上技术节点采用的APF作为掩膜的工艺流程延续到22/20nm及其以下的技术节点上，进而提高了22/20nm及其以下技术节点栅极制作工艺的成熟度和稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 lele 双重 图形 成型 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，包括以下步骤：于一具有栅极层结构的半导体衬底上依次沉积先进图膜层和硬质掩膜层；采用刻蚀工艺刻蚀所述硬质掩膜层，形成硬质掩膜结构；以所述硬质掩膜结构为掩膜，刻蚀所述先进图膜层至所述栅极层结构的表面，形成先进图膜掩膜；以所述先进图膜掩膜为掩膜刻蚀所述栅极层结构至所述半导体衬底的表面，形成栅极结构。
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