[发明专利]栅极LELE双重图形成型方法有效
| 申请号： | 201310360404.7 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103439862A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;李全波;甘志锋;李润领 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/26;G03F7/16;H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 lele 双重 图形 成型 方法 | ||
1.一种栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
于一具有栅极层结构的半导体衬底上依次沉积先进图膜层和硬质掩膜层；
采用刻蚀工艺刻蚀所述硬质掩膜层，形成硬质掩膜结构；
以所述硬质掩膜结构为掩膜，刻蚀所述先进图膜层至所述栅极层结构的表面，形成先进图膜掩膜；
以所述先进图膜掩膜为掩膜刻蚀所述栅极层结构至所述半导体衬底的表面，形成栅极结构。
2.根据权利要求1所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧层、多晶硅层和第一氮化硅层；
所述栅氧层覆盖所述半导体衬底的表面，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层的表面，所述第一氮化硅层覆盖所述多晶硅层的表面，所述先进图膜层覆盖所述第一氮化硅层的表面。
3.根据权利要求2所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为
4.根据权利要求2所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度为
5.根据权利要求2所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述硬质掩膜层包括第一介质抗反射层、第二氮化硅层和第二介质抗反射层；
所述第一介质抗反射层覆盖所述先进图膜层的表面，所述第二氮化硅层覆盖所述第一介质抗反射层的表面，所述第二介质抗反射层覆盖所述第二氮化硅层的表面。
6.根据权利要求5所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第一介质抗反射层的厚度为
7.根据权利要求5所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第二氮化硅层的厚度为
8.根据权利要求5所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第二介质抗反射层的厚度为
9.根据权利要求5所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述刻蚀工艺依次包括第一光刻工艺、第一刻蚀工艺、第二光刻工艺和第二刻蚀工艺，所述硬质掩膜结构包括第一硬质掩膜结构和第二硬质掩膜结构；
于所述第二介质抗反射层的表面制备第一底部抗反射层后，采用所述第一光刻工艺于所述第一底部抗反射层上形成第一光阻，并以该第一光阻为掩膜，依次刻蚀所述第一底部抗反射层、所述第一介质抗反射层、所述第二氮化硅层至所述第二介质抗反射层中，去除所述第一光阻和剩余的第一底部抗反射层后，于剩余的硬质掩膜层中形成所述第一硬质掩膜结构；
制备第二底部抗反射层覆盖所述剩余的硬质掩膜层，采用所述第二光刻工艺于所述第二底部抗反射层的表面制备第二光阻，并以该第二光阻为掩膜，采用第二刻蚀工艺部分去除所述第二底部抗反射层和剩余的硬质掩膜层，去除所述第二光阻和剩余的第二底部抗反射层后，形成所述第二硬质掩膜结构。
10.根据权利要求1所述的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述先进图膜层的厚度为
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