[发明专利]聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种在不含有缓冲层的单晶硅(Si)基底上制备高度有序锗(Ge)薄膜的方法，包括将含有锗-聚合物络合物的均匀涂敷溶液应用于硅的基底，再将涂层基底置于氢气气氛中进行加热处理，并将其直接在硅基底上转为高质量的晶格错配的高度有序锗薄膜。本发明的有益效果是：可以在不含有缓冲层的单晶硅基底上直接制备高度有序的锗薄膜，具有窄带隙、高迁移率、低缺陷、高度结晶等优点，且这种聚合物辅助沉积制备锗薄膜的方法简单易行，具有广阔的应用前景。

主权项

一种聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：步骤1 通过质量分数为70‑90%的混合水、2‑10%的氧化锗或四氯化锗、4‑10%的乙二胺四乙酸和14‑15%的聚乙烯二胺制备得到前驱体溶液，再将其进行超滤得到水溶性涂敷溶液；步骤2 将耐热温度大于等于500摄氏度的基底清洗干净；步骤3 将所述步骤1的涂敷溶液旋涂到步骤2所述的基底，根据溶液中锗的浓度和旋涂的次数调节锗薄膜的厚度，使得锗薄膜的厚度大于等于25nm；步骤4 在大于等于500摄氏度下，将步骤3中的旋涂涂敷溶液的基底置于纯氢气或氢气和氮气组成的合成气中退火处理。