[发明专利]聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法

权利要求书

1. 一种聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：

步骤1 通过质量分数为70-90%的混合水、2-10%的氧化锗或四氯化锗、4-10%的乙二胺四乙酸和14-15%的聚乙烯二胺制备得到前驱体溶液，再将其进行超滤得到水溶性涂敷溶液；

步骤2 将耐热温度大于等于500摄氏度的基底清洗干净；

步骤3 将所述步骤1的涂敷溶液旋涂到步骤2所述的基底，根据溶液中锗的浓度和旋涂的次数调节锗薄膜的厚度，使得锗薄膜的厚度大于等于25nm；

步骤4 在大于等于500摄氏度下，将步骤3中的旋涂涂敷溶液的基底置于纯氢气或氢气和氮气组成的合成气中退火处理。

2. 根据权利要求1所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤1中水溶性涂敷溶液制备过程：

将乙二胺四乙酸溶于水中，再加入聚乙烯二胺，混合至形成澄清液，再加入化合物搅拌过夜后，得到带有些许沉淀的清液；过滤除去沉淀，将得到的澄清滤液稀释，再置于超滤杯中超滤以除去分子量低于10000 g/mol的杂质，最后将溶液浓缩。

3. 根据权利要求1所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：在步骤2之前还包括将基底清洗的步骤：

步骤a 首先使用浓硫酸和双氧水体积比为3:1的混合溶液将基底清洗；

步骤b 将基底用水洗，并用氮气吹干；

步骤c将吹干后的基底放入40%质量分数的氟化铵水溶液刻蚀；

步骤d 用离子水清洗。

4. 根据权利要求1所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤2中的基底为硅基底。

5. 根据权利要求5所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤2中的基底为单晶硅基底。

6. 根据权利要求1、4、5任一所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：步骤4中采用900摄氏度进行退火处理。

7. 根据权利要求1所述的聚合物辅助沉积制备外延锗薄膜制备方法，其特征在于：在多次旋涂涂敷溶液的过程中，可以先执行所述的步骤3再执行步骤4，或步骤3步骤4交替进行。