[发明专利]半导体存储装置及其擦除方法有效

专利信息
申请号: 201310339455.1 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN104347117B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 矢野胜 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 于宝庆;刘春生
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种低耗电且可高速运作的闪存及其擦除方法。此闪存包括含多个存储单元的存储阵列、选择列方向存储单元的字线选择电路、与存储阵列的各位线连接以检测被选位线的电流的电流检测型感测电路,以及用来擦除存储阵列的被选区块的存储单元的数据的擦除单元。此擦除单元包含擦除程序及软编程程序。擦除程序判断被擦除区块的各位线的电流是否大于第1值,如果是则结束擦除。软编程程序包含在被擦除区块的所有字线施加软编程电压并判断各位线的电流是否小于比第1值小的第2值的软编程验证,如果是则结束软编程。
搜索关键词: 擦除 软编程 存储单元 存储阵列 擦除单元 区块 闪存 半导体存储装置 字线选择电路 软编程电压 程序判断 电流检测 感测电路 高速运作 低耗电 列方向 线连接 位线 字线 选区 施加 验证 检测
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:存储阵列,包括多个存储单元;字线选择电路,用来选择列方向的存储单元;电流检测型感测电路,其与存储阵列的各位线连接,以检测被选位线的电流是否大于一定值;擦除单元,用来擦除存储阵列的被选区块中的存储单元的数据,该擦除单元包含擦除程序及软编程程序,其中该擦除程序包含对被擦除区块的所有字线施加第一验证电压,以用该电流检测型感测电路来判断该被擦除区块的各位线的电流是否大于该定值的擦除验证,如果各位线的电流是大于该定值则结束该擦除程序;并且该软编程程序包含在该被擦除区块的所有字线施加软编程电压,并对该被擦除区块的所有字线施加读取操作时施加在非被选字线的通过电压,以用该电流检测型感测电路来判断该被擦除区块的各位线的电流是否小于该定值的软编程验证,如果各位线的电流是小于该定值则结束该软编程程序。
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