[发明专利]半导体存储装置及其擦除方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储阵列，包括多个存储单元；

字线选择电路，用来选择列方向的存储单元；

电流检测型感测电路，其与存储阵列的各位线连接，以检测被选位线的电流是否大于一定值；

擦除单元，用来擦除存储阵列的被选区块中的存储单元的数据，该擦除单元包含擦除程序及软编程程序，其中

该擦除程序包含对被擦除区块的所有字线施加第一验证电压，以用该电流检测型感测电路来判断该被擦除区块的各位线的电流是否大于该定值的擦除验证，如果各位线的电流是大于该定值则结束该擦除程序；并且

该软编程程序包含在该被擦除区块的所有字线施加软编程电压，并对该被擦除区块的所有字线施加读取操作时施加在非被选字线的通过电压，以用该电流检测型感测电路来判断该被擦除区块的各位线的电流是否小于该定值的软编程验证，如果各位线的电流是小于该定值则结束该软编程程序。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中该软编程程序对电流小于该定值的位线施加防写入电压，并对与电流大于该定值的位线连接的存储单元进行软编程。

3.如权利要求1～2中任一项所述的半导体存储装置，更包括供应预充电压给位线的多个预充电电路，所述多个预充电电路配置于各区块之间。

4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中各该预充电电路在通过该感测电路供应电流给位线之前供应预充电压给位线。

5.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中该感测电路包括连接偶数位线的第1感测电路及连接奇数位线的第2感测电路，其中该第1感测电路配置在该存储阵列的一端，该第2感测电路配置在该存储阵列的另一端，且所述多个预充电电路配置在该第1感测电路与该第2感测电路之间。

6.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中各该预充电电路包括：从字线选择电路沿着该存储阵列的列方向延伸而与该位线连接的导线。

7.一种具有与非型非易失存储单元的半导体存储装置的擦除方法，包括：

擦除程序，其包含对被擦除区块的所有字线施加第一验证电压，来判断该被擦除区块的各位线的电流是否大于一定值，如果各位线的电流是大于该定值则结束该擦除程序；以及

软编程程序，其包含对该被擦除区块的所有字线施加软编程电压，并在该被擦除区块的所有字线施加读取操作时施加在非被选字线的通过电压，来判断各位线的电流是否小于该定值，如果各位线的电流是小于该定值则结束该软编程程序。

8.如权利要求7所述的具有与非型非易失存储单元的半导体存储装置的擦除方法，其中该软编程程序对电流小于该定值的位线施加防写入电压，并对与电流大于该定值的位线连接的存储单元进行软编程。