[发明专利]非易失性半导体存储器及数据读出方法有效

专利信息
申请号: 201310317320.5 申请日: 2013-07-25
公开(公告)号: CN103730159A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 山内一贵;水藤克年;麦克·欧伦;金钟俊;申仑澈 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种非易失性半导体存储器及数据读出方法,其中,所述非易失性半导体存储器包括:存储器阵列、根据地址选择页面的选择装置、保存页面数据的数据保存装置、以及输出保存数据的输出装置。数据保存装置包括:第一数据保存装置,从存储器阵列页面接收数据;第二数据保存装置,从第一数据保存装置接收数据;及数据传送装置,配置于第一和第二数据保存装置之间。数据传送装置在输出第二数据保存装置的第一部分的数据时将第一数据保存装置的第二部分的数据传送至第二数据保存装置,并且在输出第二数据保存装置的第二部分的数据时将第一数据保存装置的第一部分的数据传送至第二数据保存装置。
搜索关键词: 非易失性 半导体 存储器 数据 读出 方法
【主权项】:
一种非易失性半导体存储器,其特征在于,包括:一存储器阵列,包括多个存储器单元;一选择装置,根据地址信息选择所述存储器阵列的页面;一数据保存装置,保存由所述选择装置所选择的页面数据;以及一输出装置,输出所述数据保存装置所保存的数据;其中,所述数据保存装置包括:第一数据保存装置,从所述存储器阵列的页面接收数据;第二数据保存装置,接收从所述第一数据保存装置传送来的数据;以及数据传送装置,配置于所述第一数据保存装置和所述第二数据保存装置之间;其中,在所述输出装置输出所述第二数据保存装置的第一部分的数据的期间,所述数据传送装置将所述第一数据保存装置的第二部分的数据传送至所述第二数据保存装置,并且在所述输出装置输出所述第二数据保存装置的第二部分的数据的期间,所述数据传送装置将所述第一数据保存装置的第一部分的数据传送至所述第二数据保存装置。
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