[发明专利]电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201310315006.3 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN103400828A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02;H01L27/01;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法。所述电感的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成金属层；在所述金属层上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层，至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层，以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层；去除所述掩膜层。本发明提高了电感在交流电路各频率中的品质因数，电感品质因数的峰值更大，自共振频率更大，包括所形成电感的集成无源器件的性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 及其 形成 方法 集成 无源 器件 | ||
【主权项】：
一种电感的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成金属层；在所述金属层上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层，至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层，以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层；去除所述掩膜层。
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