[发明专利]电感及其形成方法、集成无源器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电感的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成金属层；

在所述金属层上形成掩膜层，所述掩膜层中形成有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；

沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层，至暴露出位于第一开口下方的所述第一介质层，以及于第二开口底部剩余预定厚度的金属层；

去除所述掩膜层。

2.如权利要求1所述的电感的形成方法，其特征在于，所述第一开口的宽度与所述金属层的厚度的比值大于或者等于1:4，所述第二开口的宽度与所述金属层的厚度的比值小于1:4。

3.如权利要求1所述的电感的形成方法，其特征在于，在去除所述掩膜层之后，所述形成方法还包括：在所述第一介质层和剩余的金属层上形成第二介质层。

4.如权利要求1所述的电感的形成方法，其特征在于，沿所述第一开口和所述第二开口刻蚀所述金属层的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀的刻蚀气体为Cl₂、BCl₃和CHF₃的混合气体，所述混合气体中Cl₂的流量范围为10sccm～100sccm，BCl₃的流量范围为10sccm～90sccm，CHF₃的流量范围为1sccm～10sccm，所述干法刻蚀的电源的功率范围为500W～1000W。

5.如权利要求1所述的电感的形成方法，其特征在于，所述第一开口呈螺旋状，所述第二开口呈螺旋状。

6.一种集成无源器件的形成方法，其特征在于，所述集成无源器件包括电感，所述电感采用权利要求1至5中任一项所述电感的形成方法形成。

7.一种电感，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的第一介质层；

位于所述第一介质层上的电感，所述电感包括位于所述第一介质层上的本体和位于所述本体上表面的多个间隔设置的凸缘，所述凸缘的厚度与所述本体的厚度的比值范围为1:9～9:1；

覆盖所述电感上表面和侧面的第二介质层。

8.如权利要求7所述的电感，其特征在于，所述电感的材料为铜或者铝。

9.如权利要求7所述的电感，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅或者氮化硅，所述第二介质层的材料为氧化硅或者氮化硅。

10.一种集成无源器件，其特征在于，包括权利要求7至9任一项所述电感。