[发明专利]一种沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310308826.X | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN103681348A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种由以下步骤制得的沟槽金属氧化物半导体场效应管：在外延层的上表面淀积形成接触绝缘层；提供接触掩模版并刻蚀所述的接触绝缘层形成接触孔洞；在接触孔洞上方对所述外延层进行有角度的源区掺杂剂的离子注入并经过离子扩散形成源区。根据本发明的结构，可以节省源区掩模版并改善源区的电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：在第一导电类型的外延层中形成多个第一类沟槽栅和第二导电类型的体区；在所述外延层的上表面淀积一层接触绝缘层；提供接触掩模版并在所述的接触绝缘层中刻蚀形成接触孔洞；通过所述的接触孔洞进行多角度的第一导电类型掺杂剂的离子注入，并进行离子扩散形成源区；和沿所述的接触孔洞的侧壁进行硅刻蚀，使其穿过所述的源区并延伸入所述的体区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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