[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

主权项

一种半导体装置包括：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；与所述栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜包括与所述栅电极重叠的沟道形成区域；以及所述氧化物半导体膜上的源电极及漏电极，其中，所述源电极及所述漏电极都包括第一金属膜、所述第一金属膜上的含有铜的第二金属膜、所述第二金属膜上的第三金属膜，并且，所述第二金属膜的一个端部位于所述第一金属膜的沟道形成区域侧的一个端部的内侧。