[发明专利]高压静电保护结构

摘要

本发明公开了一种高压静电保护结构，包括一N型LDMOS置于一硅衬底上方的N型埋层内；多晶硅栅极的右侧有源区是LDMOS的漏区，由高压N阱，P‑型注入区，N‑型注入区,第一P+型扩散区和第一N+型扩散区组成；第一P+扩散区以及部分场氧化区下方是P‑注入区，第一N+型扩散区下方是N‑注入区，P‑注入区和N‑注入区被高压N阱包围；多晶硅栅极的左侧有源区是此N型LDMOS的源区，由第二N+型扩散区组成，与第二N+扩散区相隔第三场氧化区有第二P+扩散区；漏区的N+型扩散区连接ESD进入端，源区的第二N+型扩散区、第二P+型扩散区和多晶硅栅极一并接地。本发明能提高高压静电保护结构的均匀导通能力，能提高骤回电压防止闩锁效应的发生。

主权项

一种高压静电保护结构，其特征是，包括：一N型LDMOS整体置于一硅衬底上方的N型埋层内；多晶硅栅极右侧的有源区是所述LDMOS的漏区，所述漏区包括第一P+扩散区以及位于其下方的P‑注入区，第一N+扩散区以及位于其下方的N‑注入区，第一P+扩散区和第一N+扩散区相邻，P‑注入区和N‑注入区相邻；第一N+扩散区远离多晶硅栅极的一侧具有第一场氧区，第一P+扩散区靠近多晶硅栅极的一侧具有第二场氧区；多晶硅栅极左侧的有源区是N型LDMOS的源区，所述源区包括第二N+扩散区，第二N+扩散区远离多晶硅栅极一侧具有第三场氧区，第三场氧区远离多晶硅栅极一侧具有第二P+扩散区，第二P+扩散区远离多晶硅栅极一侧具有第四场氧区；P‑注入区和N‑注入区被高压N阱包围，第二P+扩散区和第二N+扩散区被高压P阱包围；多晶硅栅极位于高压P阱、高压N阱和N型埋层上方；第一N+扩散区连接ESD输入端，第二N+扩散区、第二P+扩散区和多晶硅栅极一并接地。