[发明专利]高压静电保护结构有效
| 申请号： | 201310294138.2 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104282665B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;邓樟鹏;苗彬彬;张强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 静电 保护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压静电保护结构，其特征是，包括：一N型LDMOS整体置于一硅衬底上方的N型埋层内；
多晶硅栅极右侧的有源区是所述LDMOS的漏区，所述漏区包括第一P+扩散区以及位于其下方的P-注入区，第一N+扩散区以及位于其下方的N-注入区，第一P+扩散区和第一N+扩散区相邻，P-注入区和N-注入区相邻；第一N+扩散区远离多晶硅栅极的一侧具有第一场氧区，第一P+扩散区靠近多晶硅栅极的一侧具有第二场氧区；
多晶硅栅极左侧的有源区是N型LDMOS的源区，所述源区包括第二N+扩散区，第二N+扩散区远离多晶硅栅极一侧具有第三场氧区，第二P+扩散区远离多晶硅栅极一侧具有第四场氧区；
P-注入区和N-注入区被高压N阱包围，第二P+扩散区和第二N+扩散区被高压P阱包围；多晶硅栅极位于高压P阱、高压N阱和N型埋层上方；
第一N+扩散区连接ESD输入端，第二N+扩散区、第二P+扩散区和多晶硅栅极一并接地。
2.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：第一N+扩散区全部位于N-注入区上方，第一场氧区部分位于N-注入区上方，部分位于N型埋层上方。
3.如权利要求1所述的高压静电保护结构，其特征是：第一P+扩散区全部位于P-注入区上方，第二场氧区部分位于P-注入区上方，部分位于高压N阱上方。
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