[发明专利]半导体制造工具的强化方法无效
申请号: | 201310275086.4 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN104233223A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 李崇民;李崇华 | 申请(专利权)人: | 奈米晶光电股份有限公司;广科精密股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/30 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北市松山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关于一种半导体制造工具的强化方法,包括有下列步骤:提供一模仁、形成原生氧化层、附着离型剂以及形成玻璃键结离型层,以上步骤所形成的坚固的玻璃键结离型层是均匀分布地包覆于模仁表面,使半导体制造工具的模仁可以降低磨耗,提高模仁耐用度,节省成本,并且使模仁容易脱模,提高生产速率,同时模仁表面玻璃键结离型层的均匀分布又可使模仁制造的子模良率提升。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 工具 强化 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体制造工具的强化方法,其特征在于其包括以下步骤:提供模仁;形成原生氧化层,其是在高温下对该模仁进行热处理,并使该模仁表面生成原生氧化层;附着离型剂,其是对离型剂加热至沸点以产生离型剂气体,并使该离型剂气体附着于该原生氧化层;以及形成玻璃键结离型层,其是导入氧气并以紫外光照射该模仁进行强化缩合反应,以形成均匀的玻璃键结离型层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的