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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]灯泡-CN201420759402.5有效
  • 陈建清;游芳莉;李崇华 - 广科精密股份有限公司
  • 2014-12-05 - 2015-05-13 - F21S2/00
  • 本实用新型是有关于一种灯泡，包括：一底座；一承载平台，形成于该底座上；以及一灯芯，枢设于该承载平台上；其中，该灯芯包含至少一发光单元，所述发光单元分别包含一发光板，及一对卡扣件；其中，该发光板上设有多个发光片；其中，所述卡扣件分别独立含有一容置槽，且该发光板的相对两端分别容设于该容置槽中。
  • 灯泡
  • [发明专利]无缺陷模仁的制造方法-CN201310244945.3在审
  • 李崇民;李崇华 - 奈米晶光电股份有限公司;广科精密股份有限公司
  • 2013-06-19 - 2014-12-17 - G03F7/00
  • 本发明是有关于一种无缺陷模仁的制造方法，包括以下步骤：(1)提供一模仁;(2)制作一光阻图案于该模仁上;(3)镀制一金属薄膜;(4)形成多个金属圆柱;(5)进行加热及退火;(6)进行干蚀刻;以及(7)移除金属圆球。通过本发明方法形成的无缺陷模仁可用于制造磊晶晶圆的纳米压印制造工艺，微观上可精确控制模仁图案间距的一致及排除模仁图案的错位问题，宏观上可消除磊晶晶圆的格纹的产生，大幅提高磊晶晶圆的产品合格率。无缺陷模仁具有制造简易、成本低廉又可完全复制的特性，可使纳米压印技术得以真正取代现今制造磊晶晶圆制造中的步进曝光机。
  • 缺陷制造方法
  • [发明专利]半导体基板的制造方法-CN201310204638.2在审
  • 李崇华;李崇民 - 奈米晶光电股份有限公司;广科精密股份有限公司
  • 2013-05-28 - 2014-12-03 - H01L33/00
  • 本发明是有关于一种半导体基板的制造方法，包括有下列步骤：提供具有成核成长层的半导体基板、形成微粒子刻蚀掩膜于成核成长层上、刻蚀成核成长层、填入无机凝胶于刻蚀凹槽、移除微粒子刻蚀掩膜、进行多晶柱成长及横向接合多晶柱，借此形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板。本发明的制造方法是可将成核成长层或多晶柱成长的缺陷限制在多晶柱之间，在多晶柱的顶端水平接合后便可形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板，亦即低缺陷半导体基板。
  • 半导体制造方法
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  • 共 5 条
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