[发明专利]半导体制造工具的强化方法

权利要求书

1.一种半导体制造工具的强化方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供模仁；

形成原生氧化层，其是在高温下对该模仁进行热处理，并使该模仁表面生成原生氧化层；

附着离型剂，其是对离型剂加热至沸点以产生离型剂气体，并使该离型剂气体附着于该原生氧化层；以及

形成玻璃键结离型层，其是导入氧气并以紫外光照射该模仁进行强化缩合反应，以形成均匀的玻璃键结离型层。

2.根据权利要求1所述的半导体制造工具的强化方法，其特征在于其中该模仁的材质为单晶硅、多晶硅、氧化硅、碳化硅、氧化铝、镁铝尖晶石、氧化锌或任二种以上的所述材质混合的材质。

3.根据权利要求1所述的半导体制造工具的强化方法，其特征在于其中形成原生氧化层的该高温是指200°C至600°C间的温度。

4.根据权利要求1所述的半导体制造工具的强化方法，其特征在于其中该紫外光的波长范围为10nm至400nm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体制造工具的强化方法，其特征在于其中该离型剂的材质为正十八基三氯硅烷或其衍生物或其他硅烷类或其他硅烷类的衍生物。

6.根据权利要求1所述的半导体制造工具的强化方法，其特征在于其中该玻璃键结离型层为氧化硅所形成。