[发明专利]分栅式闪存结构及其制造方法

摘要

一种分栅式闪存结构及其制造方法。分栅式闪存结构包括：并排布置的两个分栅单元；所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层；并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖，而形成有氧化物侧壁；在两个分栅单元并排布置的方向上，所述浮栅层的尺寸与控制栅极层的尺寸相同；两个分栅单元之间布置有选择线多晶硅区域；在每个分栅单元的外侧的氧化物侧壁上形成有层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区，分栅单元的外侧是分栅单元的相对于选择线多晶硅区域的另一侧；多晶硅连接区的高度与浮栅层的上表面的高度齐平；在层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区外侧形成有多晶硅字线。

主权项

一种分栅式闪存结构，其特征在于包括：并排布置的两个分栅单元；其中，所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层；并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖，而形成有氧化物侧壁；在两个分栅单元并排布置的方向上，所述浮栅层的尺寸与控制栅极层的尺寸相同；其中，两个分栅单元之间布置有选择线多晶硅区域；在每个分栅单元的外侧的氧化物侧壁上形成有层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区，分栅单元的外侧是分栅单元的相对于选择线多晶硅区域的另一侧。