[发明专利]分栅式闪存结构及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅式闪存结构，其特征在于包括：并排布置的两个分栅单元；

其中，所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层；

并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖，而形成有氧化物侧壁；

在两个分栅单元并排布置的方向上，所述浮栅层的尺寸与控制栅极层的尺寸相同；

其中，两个分栅单元之间布置有选择线多晶硅区域；

在每个分栅单元的外侧的氧化物侧壁上形成有层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区，分栅单元的外侧是分栅单元的相对于选择线多晶硅区域的另一侧。

2.根据权利要求1所述的分栅式闪存结构，其特征在于，多晶硅连接区的高度与浮栅层的上表面的高度齐平。

3.根据权利要求1或2所述的分栅式闪存结构，其特征在于，在层叠的多晶硅连接区和氧化物隔离区外侧形成有多晶硅字线。

4.根据权利要求1或2所述的分栅式闪存结构，其特征在于，所述分栅式闪存结构包含两个存储位单元。

5.根据权利要求1至4之一所述的分栅式闪存结构，其特征在于，所述两个存储位单元对称布置。

6.根据权利要求1至5之一所述的分栅式闪存结构，其特征在于，所述两个存储位单元不对称布置。

7.一种分栅式闪存结构制造方法，其特征在于包括：

形成并排布置的两个层叠结构，每个层叠结构包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层，其中所述两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖而形成有氧化物侧壁，在两个层叠结构之间形成选择线多晶硅区域，浮栅层和控制栅极层长度相同；

在栅极氧化物层上形成邻接层叠结构外侧的氧化物侧壁的高度与浮栅层的上表面的高度齐平的多晶硅连接区，层叠结构外侧是层叠结构的相对于选择线多晶硅区域的另一侧；

在多晶硅连接区上形成邻接所述氧化物侧壁的氧化物隔离区；

在多晶硅连接区和氧化物隔离区的叠层外侧形成多晶硅字线。

8.根据权利要求7所述的分栅式闪存结构制造方法，其特征在于，通过沉积和刻蚀在栅极氧化物层上形成邻接层叠结构外侧的氧化物侧壁的高度与浮栅层的上表面的高度齐平的多晶硅连接区。

9.根据权利要求7或8所述的分栅式闪存结构制造方法，其特征在于，通过沉积和刻蚀在多晶硅连接区上形成邻接所述氧化物侧壁的氧化物隔离区。

10.根据权利要求7至9之一所述的分栅式闪存结构制造方法，其特征在于，通过沉积和刻蚀在多晶硅连接区和氧化物隔离区的叠层外侧形成多晶硅字线。