[发明专利]金属互连线电容结构无效
| 申请号： | 201310264720.4 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103325766A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 赵芳芳;王伟;陈展飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种金属互连线电容结构，所述金属互连线电容结构由多个电容单元组成，若需要形成电容值不同的金属互连线电容，则只需要更改电容单元的数量即可；由于电容单元规格统一，形成工艺一致，从而能够避免形成长度不同或宽度不同的金属线，减少了工艺缺陷，降低了工艺难度，提高了操作性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种金属互连线电容结构，包括：多个电容单元，所述电容单元包括多层金属互连层，以及连接相邻金属互连层之间的多个金属连接线，每一所述金属连接线均连接多层所述金属互连层；所述金属互连层之间形成有介质层；所述金属互连层能够由所述介质层隔离，组成电容；多个电容单元连线，将所述电容单元连接在一起。
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