[发明专利]相机模组及其制作方法有效
申请号: | 201310260368.7 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN104253133B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 栾静恩;李建华 | 申请(专利权)人: | 深圳赛意法微电子有限公司;意法半导体制造(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;G03B17/12 |
代理公司: | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司44232 | 代理人: | 刘抗美,周惠来 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可回焊相机模组及其制作方法,其特征在于,所述可回焊相机模组包括镜座;图像传感器衬底;成像透镜单元;多个导电连接件;穿硅通孔以及镜筒,黏胶填满所述成像透镜单元与所述镜筒的内表面之间的间隙以将所述镜筒固定在所述成像透镜单元上。 | ||
搜索关键词: | 相机 模组 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种可回焊相机模组,其特征在于,包括:镜座,所述镜座为中空柱体,所述镜座设有相对的第一开口端和第二开口端,所述第一开口端的开口面积小于所述第二开口端的开口面积;图像传感器衬底,置于所述镜座内设有所述第一开口端的一侧,黏胶填满所述图像传感器衬底与所述镜座的内表面之间的间隙以将所述图像传感器衬底固定在所述镜座内;成像透镜单元,置于所述图像传感器衬底的与所述第一开口端相异的一侧,所述成像透镜单元具有感测区和环绕所述感测区的非感测区,黏胶填满在所述成像透镜单元的非感测区与所述图像传感器衬底之间的间隙以将所述成像透镜单元固定在所述图像传感器衬底与所述第一开口端相异的一侧,其中,所述成像透镜单元包括多个透镜,所述多个透镜与所述图像传感器衬底相连接的一面镀有滤光片;多个导电连接件,置于所述图像传感器衬底连接所述第一开口端一侧并被所述第一开口端包围,多个所述导电连接件中至少有一个包括接地连接件;穿硅通孔,所述穿硅通孔延伸穿过所述图像传感器衬底且从所述图像传感器衬底的一侧以通信方式耦合到置于所述图像传感器衬底另一侧的所述接地连接件;以及镜筒,所述镜筒为中空柱体并设有第三开口端和第四开口端,所述第三开口端的开口面积大于所述第四开口端的开口面积,所述第三开口端卡接在所述第二开口端内,黏胶填满所述成像透镜单元与所述镜筒的内表面之间的间隙以将所述镜筒固定在所述成像透镜单元上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳赛意法微电子有限公司;意法半导体制造(深圳)有限公司,未经深圳赛意法微电子有限公司;意法半导体制造(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310260368.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的