[发明专利]一种高k/金属栅极结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310231660.6 | 申请日： | 2013-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241343B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高k/金属栅极结构及其制作方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成具有栅极图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述硬掩膜层、所述伪栅极层和所述覆盖层，停止于所述高k介电层表面；刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸；刻蚀所述高k介电层；选择性刻蚀所述覆盖层。根据本发明，可以准确控制高k介电层相对栅极层的突出量，并可以使覆盖层不突出于栅极层，从而避免出现短路故障，实现更好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高k/金属栅极结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成具有栅极图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述硬掩膜层、所述伪栅极层和所述覆盖层，停止于所述高k介电层表面；刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸；刻蚀所述高k介电层，使得所述高k介电层的边缘与所述覆盖层的边缘对齐；选择性刻蚀所述覆盖层，使得所述覆盖层的边缘与所述伪栅极层的边缘对齐或窄于所述伪栅极层的边缘。
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