[发明专利]一种高k/金属栅极结构及其制作方法

权利要求书

1.一种高k/金属栅极结构的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层和硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成具有栅极图形的光刻胶层；

以所述光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述硬掩膜层、所述伪栅极层和所述覆盖层，停止于所述高k介电层表面；

刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸；

刻蚀所述高k介电层，使得所述高k介电层的边缘与所述覆盖层的边缘对齐；

选择性刻蚀所述覆盖层，使得所述覆盖层的边缘与所述伪栅极层的边缘对齐或窄于所述伪栅极层的边缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述高k介电层之前还包括在所述半导体衬底上形成界面层的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅极层的材料为多晶硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述伪栅极层的材料为硼掺杂多晶硅，其中硼元素的掺杂量为10¹⁴-10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸的步骤中所采用的刻蚀方法为湿法刻蚀工艺。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀液为四甲基氢氧化铵溶液。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的持续时间为5s-50s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀所述伪栅极层以减小所述伪栅极层的特征尺寸的步骤中，所述伪栅极层相对于所述硬掩膜层减小的特征尺寸为1nm-6nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化钛或氮化钽。