[发明专利]半导体制造方法

摘要

本发明提供了一种FinFET制造方法，在形成具有不同高度顶面的假栅极层之后，形成完全覆盖假栅极层的介质层，通过对介质层进行回刻蚀，暴露出具有较高顶面的部分假栅极层，并通过暴露出的顶面对该部分假栅极层进行各向异性干刻蚀，由于各项异性干刻蚀的刻蚀速率容易控制，可以使该部分假栅极层的顶面下降至与较低顶面的部分假栅极层水平，从而能够在去除介质层后获得具有平坦表面的假栅极层，有利于后续工艺的进行并保证了器件良率。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其中，包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成鳍片；形成假栅极绝缘层；全面性形成假栅极层，所述假栅极层的材料为P型多晶硅或非晶硅，其中，位于所述鳍片正上方的所述假栅极层具有第一顶面，位于所述鳍片之外的所述衬底上方的所述假栅极层具有第二顶面，所述第一顶面高于所述第二顶面；形成完全覆盖所述假栅极层的介质层；对所述介质层进行回刻蚀，暴露出所述假栅极层的所述第一顶面；经由暴露的所述第一顶面对所述假栅极层进行刻蚀，直至被刻蚀的所述假栅极层的顶面与所述第二顶面平齐；去除所述介质层，从而获得具有平坦表面的所述假栅极层；其中，对所述介质层进行回刻蚀的具体工艺包括：反应离子刻蚀、离子铣、离子束刻蚀或湿法腐蚀。