[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及雪崩光电二极管及其制造方法。得到一种能改善高速响应性并且能减少特性的随时间变化的雪崩光电二极管。在n型InP衬底（1）上依次层叠有AlInAs雪崩倍增层（3）、p型AlInAs电场控制层（4）、未掺杂光吸收层（5）以及窗层（6）。在窗层（6）和未掺杂光吸收层（5）的一部分设置有p型区域（7）。使用碳作为p型AlInAs电场控制层（4）的掺杂物。使用Zn作为p型区域（7）的掺杂物。P型区域（7）的底面比未掺杂光吸收层（5）与窗层（6）的界面位于下方。

主权项

一种雪崩光电二极管，其特征在于，具备：衬底；在所述衬底上依次层叠的雪崩倍增层、p型的电场控制层、光吸收层和窗层；以及p型区域，设置在所述窗层和所述光吸收层的一部分，使用碳作为所述电场控制层的掺杂物，使用Zn作为所述p型区域的掺杂物，所述p型区域的底面比所述光吸收层与所述窗层的界面位于下方。