[发明专利]雪崩光电二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，具备：

衬底；

在所述衬底上依次层叠的雪崩倍增层、p型的电场控制层、光吸收层和窗层；以及

p型区域，设置在所述窗层和所述光吸收层的一部分，

使用碳作为所述电场控制层的掺杂物，

使用Zn作为所述p型区域的掺杂物，

所述p型区域的底面比所述光吸收层与所述窗层的界面位于下方。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述电场控制层的杂质浓度为2×10¹⁷cm^-3以上且2×10¹⁸cm^-3以下。

3.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，还具备：埋入半导体层，埋入所述光吸收层的侧面，具有比所述光吸收层宽的带隙。

4.一种雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，具备：

在衬底上依次形成倍增层、p型的电场控制层、光吸收层和窗层的工序；以及

在所述窗层和所述光吸收层的一部分利用Zn的固相扩散形成p型区域的工序，

使用碳作为所述电场控制层的掺杂物，

所述p型区域的底面比所述光吸收层与所述窗层的界面位于下方。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管的制造方法，其特征在于，使所述Zn的固相扩散时的温度比540℃高。