[发明专利]一种分段式掩膜图形制备SE电池方法有效
| 申请号: | 201310162489.8 | 申请日: | 2013-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN103219430A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
| 发明(设计)人: | 黄智;李质磊;隋海波;侯林钧;徐涛;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
| 地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 一种分段式掩膜图形制备SE电池方法,包括在扩散面上用SE刻蚀掩膜浆料形成SE掩膜图形的步骤,所述SE掩膜图形对应细栅线的部分是分段式的不连续形状,形成分段式SE掩膜涂料覆盖区。用本发明所述的分段式掩膜图形制备SE电池方法,通过将SE刻蚀掩膜将传统的直通式SE掩膜涂料覆盖区按一定规则改为多个分段式SE掩膜涂料覆盖区,可保证或提升电池片转换效率的目的,同时减少了SE浆料用料,降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 段式 图形 制备 se 电池 方法 | ||
【主权项】:
一种分段式掩膜图形制备SE电池方法,包括在扩散面上用SE刻蚀掩膜浆料形成SE掩膜图形的步骤,其特征在于:所述SE掩膜图形对应细栅线的部分是分段式的不连续形状,形成分段式SE掩膜涂料覆盖区(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





