[发明专利]一种分段式掩膜图形制备SE电池方法

权利要求书

1.一种分段式掩膜图形制备SE电池方法,包括在扩散面上用SE刻蚀掩膜浆料形成SE掩膜图形的步骤，其特征在于：所述SE掩膜图形对应细栅线的部分是分段式的不连续形状，形成分段式SE掩膜涂料覆盖区（3）。

2.如权利要求1所述一种分段式掩膜图形制备SE电池方法，还包括形成细栅线电极的步骤，其特征在于：所述形成细栅线电极的步骤包括先后顺序可对调的以下A、B两个步骤；

A.与分段式SE掩膜涂料覆盖区重叠的细栅线电极部分采用能穿透氮化硅膜的电极浆料印刷；

B. 与分段式SE掩膜涂料覆盖区不相重叠的细栅线电极部分采用不能穿透氮化硅膜的电极浆料印刷。

3.如权利要求1所述一种分段式掩膜图形制备SE电池方法，其特征在于：所述分段式SE掩膜涂料覆盖区（3）为间隔排列的长方形、正方形、圆形、椭圆形、竹节形中的一种；所述竹节形是由粗节（4）和位于粗节两端的细节（5）构成的形状。

4.如权利要求1所述一种分段式掩膜图形制备SE电池方法，其特征在于：所述分段式的不连续形状中每段分段式SE掩膜涂料覆盖区（3）的长度a相同，相邻两段分段式SE掩膜涂料覆盖区的间距b相同，且a:b=100：1至1:200。

5.如权利要求4所述一种分段式掩膜图形制备SE电池方法，其特征在于：所述细栅线（1）为互相平行的直线，相邻细栅线之间的间距相同；

在任意一段SE掩膜图形的中心点为圆心，b/2为半径的圆上，该段分段式SE掩膜涂料覆盖区所处细栅线的邻近两根细栅线上各自有两段分段式SE掩膜涂料覆盖区的中心点。

6.如权利要求5所述一种分段式掩膜图形制备SE电池方法，其特征在于：a:b=1：6.26。