[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 201310158155.3 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103383941B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | S.哈特曼;D.特吕泽尔 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;张金金 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明提供功率半导体模块（1），其包括基板（2）和安装在其上的至少一对衬底（3），由此多个功率半导体（4，5，25）安装在每个衬底（3）上，该功率半导体（4，5，25）布置在每个衬底（3）上，该衬底（3）沿其的相对边缘（6）具有不同数量的功率半导体（4，5，25），至少一对衬底（3）布置在基板（2）上，其中提供有较低数量的功率半导体（4，5，25）的衬底（3）的边缘（6）面朝彼此。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块（1），包括基板（2）和安装在其上的至少一对衬底（3），由此每个衬底（3）具有矩形形状，多个功率半导体（4，5，25）安装在每个衬底（3）上，所述功率半导体（4，5，25）布置在每个衬底（3）上，所述衬底（3）沿其的相对边缘（6）具有不同数量的功率半导体（4，5，25），并且所述至少一对衬底（3）布置在所述基板（2）上，其中提供有较低数量的功率半导体（4，5，25）的所述衬底（3）的所述边缘（6）面朝彼此。
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