[发明专利]一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法

摘要

一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，涉及太阳能电池用Ge衬底的制备技术，先采用MOCVD在EPI-readyGe衬底上生长一层GaInP；然后对待光刻的衬底进行涂胶、匀胶和前烘处理；将掩模版与衬底对准安装；投影曝光；显影，坚膜处理；先后采用不同的腐蚀液腐蚀处理，然后将腐蚀后的衬底去胶；再将衬底的GaInP层以第一腐蚀液腐蚀去除、硫酸浸泡后，在腐蚀液中兆声清洗，最后采用通氮气离心甩干方式干燥衬底，N2密封。本发明采用简单的化学工艺来制备图形化衬底，不需要复杂的机械设备，操作简单，成本低，在生长大失配的外延材料时，应力能更好地释放，外延层能得到更高的材料质量。

主权项

一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于包括以下顺序步骤：1）采用MOCVD在EPI‑ready Ge衬底上生长一层GaInP；2）对待光刻的衬底进行涂胶、匀胶和前烘处理；3）将掩模版与衬底对准安装；4）投影曝光；5）将曝光后的衬底进行显影，坚膜处理；6）将坚膜处理后的衬底置于第一腐蚀液中腐蚀处理30～60秒，然后在第二腐蚀液中腐蚀处理30～60秒；7）将腐蚀后的衬底去胶；8）将衬底的GaInP层以第一腐蚀液腐蚀去除，然后采用去离子水中冲洗120～180秒，离心甩干；9）将衬底在90～100℃的浓硫酸中浸泡后，再以40～60℃的稀硫酸浸泡，然后在第三腐蚀液中常温兆声清洗，最后在去离子水中兆声清洗；10）采用通氮气离心甩干方式干燥衬底，N2密封。